安阳市晟东冶金材料有限公司

碳化硅球的特性和用途

（1）碳化硅球具耐磨、无污染、提高原料的稳定性，减少磨机内厚度和球的体积铬铁，使磨机有效容积增加15%-30%。

（2）用途：主要于电气炉和冲天炉，作为脱氧剂；

（3）用于铸造和炼钢工业（特钢、不锈钢、T制铁、G制铁、K制铁等工厂都可使用），提高炉内温度，缩短熔化时间，提高钢铁产量，起到增碳、脱氧、加硅、升温等作用.

（4）还可以作为硅铁的替代品使用。并且在投炉中不会产生粉尘污染，反应速度快、降低成本，是炼钢过程中的一种新方式。

（5）有用金属氧化物被还原为金属在钢中被吸收硅碳球，减少钢水的损耗，提高产量。

（6）碳化硅元素氧化时产生的反应热能，可减少电的使用量，使操作时间缩短。

（7）在生产锰钢、铬钢的过程中，可减少锰、铬的损耗。

这种磨片采用金刚石作为磨料，重量轻，研磨加工时能有效保护石材表面的软质部分硅锰球，所加工的产品光泽性高。操作时采用尼龙粘扣的方式进行连接，方便易行。并且还有良好的上升空间。

树脂结合剂磨盘由金刚石单晶、微粉与树脂固结而成，特点是成本比金属磨盘低，加工，主要应用于石材的精细研磨至抛光，是金属磨盘磨平后的延续磨抛工具。成本比较适中。

是以磨料加结合剂经铸压、广泛应用于地面整体研磨的磨削和研磨优化阶段，特点是具有良好的磨削性能，优越的整平研磨性能。

土抛光。

        近日科技部高新司在组织召开“十二五”期间863计划重点支持的“第三代半导体器件制备及评价技术”项目验收会。通过项目的实施，我国在第三代半导体关键的碳化硅和氮化材料、功率器件、封装以及可见光通信等领域取得突破。

中国开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚，与国外相比水平较低，阻碍国内第三代半导体研究进展的重要因素是原始问题。随着国家对第三代半导体材料的重视，近年来，我国半导体材料市场发展迅速。其中以碳化硅与氮化为主的材料备受关注。我们认为，该项目取得的进展，显示出我国在半导体前沿材料的研究方面取得了突破进展，有助于支撑我国在节能减排、现代信息工程、现代建设上的重大需求。

考虑到当前国内的半导体产业投资基本上进入了国家主导的投资阶段，2014年大金的成立开启了一轮国内投资半导体的热潮，第三代半导体取得技术突破无论是政府资金，还是产业资本都纷纷进入这个领域。碳化硅与氮为主的材料随着碳化硅和氮化材料研发取得进展，中国开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚，与国外相比水平较低，阻碍国内第三代半导体研究进展的重要因素是原始问题。碳化硅的优点耐腐蚀：陶瓷材料的稳定性是出色的，尤其是氮化硅球，几乎不与任何物质发生化学反应，广泛应用于石油，化工，食品等需要接触强氧化剂和强还原剂的行业.碳化硅一种人工合成原料，含量不少于97％的天然硅石(硅砂)与焦炭(或煤)为基本原料，加入少量盐和木屑，用电阻炉在2000—2500~c温度下合成。安阳市晟东冶金材料有限公司欢迎来电咨询,来厂参观.