安阳市晟东冶金材料有限公司

      碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍;用以制成的耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好。低品级碳化硅(含硅约85%)是的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒硅碳球。

安阳市晟东冶金材料有限公司主要生产销售硅锰合金、硅铁合金、硅钙合金、稀土合金、金属硅粉、粒、碳化硅、碳化硅脱氧剂、硅铁粉等各类铁合金。

安阳市晟东冶金材料有限公司位于甲骨文故乡－－古都安阳，地处晋、冀、鲁、豫四省交界，京广铁路、京珠高速、107国道贯穿其间，西临太行山脉，有举世闻名的人工天河－－渠，这里地理位置优越，矿产资源丰富，自然条件十分便利。本厂技术力量雄厚硅锰球，检测手段齐全，具有完善的科学管理及质量保证体系。

碳化硅球有什么优点?

    碳化硅球相比普通脱氧剂更具有专业性，碳化硅球的优点在各行各业都有所体现，碳化硅球主要用于电气炉和冲天炉，作为脱氧剂，用于铸造和炼钢工业。提高炉内温度，缩短熔化时间，提高钢铁产量，起到增炭、脱氧、加硅、升温等作用，还可以作为硅铁的替代品使用。并且在投炉中不会产生粉尘污染，反应速度快、降低成本，是炼钢过程中的一种新方式。碳化硅球是提高综合经济效益的一种新材料，为炼钢、铸造等行业提高竞增力带来新的机会。

    碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成为一种重要的磨料，但其应用范围却超过一般的磨料。例如，它所具有的耐高温性、导热性而成为隧道窑或梭式窑的窑具材料之一，它所具有的导电性使其成为一种重要的电加热元件等。制备SiC制品首先要制备SiC冶炼块[或称：SiC颗粒料，因含有C且超硬，因此SiC颗粒料曾被称为：金刚砂。但要注意：它与天然金刚砂(也称：石榴子石)的成分不同。在工业生产中，SiC冶炼块通常以石英、石油焦等为原料，辅助回收料、乏料，经过粉磨等工序调配成为配比合理与粒度合适的炉料(为了调节炉料的透气性需要加入适量的木屑，制备绿碳化硅时还要添加适量)经高温制备而成。高温制备SiC冶炼块的热工设备是的碳化硅电炉，其结构由炉底、内面镶有电极的端墙、可卸式侧墙、炉心体(全称为：电炉中心的通电发热体，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形状与尺寸安装在炉料中心，一般为圆形或矩形。其两端与电极相连)等组成。该电炉所用的烧成方法俗称：埋粉烧成。它一通电即为加热开始，炉心体温度约2500℃，甚至更高(2600～2700℃)，炉料达到1450℃时开始合成SiC(但SiC主要是在≥1800℃时形成)，且放出co。然而，≥2600℃时SiC会分解，但分解出的si又会与炉料中的C生成SiC。每组电炉配备一组变压器，但生产时只对单一电炉供电，以便根据电负荷特性调节电压来基本上保持恒功率，大功率电炉要加热约24 h，停电后生成SiC的反应基本结束，再经过一段时间的冷却就可以拆除侧墙，然后逐步取出炉料。   

碳化硅是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时，在实验室偶然发现的一种碳化物，当时误认为是金刚石的混合体，故取名金刚砂，1893年艾奇逊研究出来了工业冶炼碳化硅的方法，也就是大家常说的艾奇逊炉，一直沿用至今，以碳质材料为炉芯体的电阻炉，通电加热石英SIO2和碳的混合物生成碳化硅。

1955年 理论和技术上重大突破，LELY提出生长碳化概念，从此将SiC作为重要的电子材料。

1978年 六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究。到1978年首采用“LELY改进技术”的晶粒提纯生长方法。

1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生产线，供应商开始提供商品化的碳化硅基。

碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种，都属α-SiC。①黑碳化硅含SiC约95%，其韧性高于绿碳化硅，大多用于加工抗张强度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。②绿碳化硅含SiC约97%以上，自锐性好，大多用于加工硬质合金钛合金光学玻璃，也用于珩磨汽缸套和精磨高速具。此外还有立方碳化硅，它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体，用以制作的磨具适于轴承的超精加工，可使表面粗糙度从Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米。

这种磨片采用金刚石作为磨料，重量轻，研磨加工时能有效保护石材表面的软质部分，所加工的产品光泽性高。操作时采用尼龙粘扣的方式进行连接，方便易行。并且还有良好的上升空间。

树脂结合剂磨盘由金刚石单晶、微粉与树脂固结而成，特点是成本比金属磨盘低，加工，主要应用于石材的精细研磨至抛光，是金属磨盘磨平后的延续磨抛工具。成本比较适中。

是以磨料加结合剂经铸压、广泛应用于地面整体研磨的磨削和研磨优化阶段，特点是具有良好的磨削性能，优越的整平研磨性能。

土抛光。

        近日科技部高新司在组织召开“十二五”期间863计划重点支持的“第三代半导体器件制备及评价技术”项目验收会。通过项目的实施，我国在第三代半导体关键的碳化硅和氮化材料、功率器件、封装以及可见光通信等领域取得突破。

中国开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚，与国外相比水平较低，阻碍国内第三代半导体研究进展的重要因素是原始问题。随着国家对第三代半导体材料的重视，近年来，我国半导体材料市场发展迅速。其中以碳化硅与氮化为主的材料备受关注。我们认为，该项目取得的进展，显示出我国在半导体前沿材料的研究方面取得了突破进展，有助于支撑我国在节能减排、现代信息工程、现代建设上的重大需求。