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2023-04-29 09:03:32

中国碳化硅冶炼生产工艺、技术装备和单吨能耗达到世界先水平。黑、绿碳化硅原块的质量水平也属界级。中国碳化硅与世界先进水平的差距主要集中在四个方面:一是在生产过程中很少使用大型机械设备,很多工序依靠人力完

      中国碳化硅冶炼生产工艺、技术装备和单吨能耗达到世界先水平。黑、绿碳化硅原块的质量水平也属界级。中国碳化硅与世界先进水平的差距主要集中在四个方面:一是在生产过程中很少使用大型机械设备,很多工序依靠人力完成,人均碳化硅产量较低;二是在碳化硅深加工产品上,对粒度砂和微粉产品的质量管理不够精细,产品质量的稳定性不够;三是某些产品的性能指标与发达国家同类产品相比有一定差距;四是冶炼过程中1氧化碳直接排放。国外主要企业基本实现了封闭冶炼硅铁球,而中国碳化硅冶炼几乎全部是开放式冶炼,1氧化碳全部直排。   

一块直径4米的碳化硅反射镜躺在中国科院长春光学精密机械与物理研究所(以下简称长春光机所)实验室中,闪闪发光。这块看似普通的镜子,却是工程中期待已久的技术突破。

8月21日,由长春光机所承担的国家重大科研装备研制项目“4米量级碳化硅非球面反射镜集成制造系统”通过项目验收。不久的将来,它将在国家地基大型光电系统中发挥作用。

这是目前国际上公开报道的大口径的碳化硅非球面反射镜硅碳球,也是我国自主制造出的一面反射镜。随着这一“卡脖子”技术的攻克,未来,“大镜子”将越来越多出现在我国国产大口径光电装备上。

自1609年伽利略发明天文望远镜以来,光学系统观测能力的不断提升,离不开一个关键——口径。

项目验收、中国工程士姜会林表示硅锰球,反射镜直径越大,光学望远镜的分辨率和精度就越高,尤其是针对运动目标。记4米碳化硅因此,对更大口径反射镜的需求是无止境的,也是国际竞争的焦点。

        近日科技部高新司在组织召开“十二五”期间863计划重点支持的“第三代半导体器件制备及评价技术”项目验收会。通过项目的实施,我国在第三代半导体关键的碳化硅和氮化材料、功率器件、封装以及可见光通信等领域取得突破。

中国开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚,与国外相比水平较低,阻碍国内第三代半导体研究进展的重要因素是原始问题。随着国家对第三代半导体材料的重视,近年来,我国半导体材料市场发展迅速。其中以碳化硅与氮化为主的材料备受关注。我们认为,该项目取得的进展,显示出我国在半导体前沿材料的研究方面取得了突破进展,有助于支撑我国在节能减排、现代信息工程、现代建设上的重大需求。

         利用碳化硅具有耐腐蚀、耐高温、强度大、导热性能良好、抗冲击等特性,碳化硅一方面可用于各种冶炼炉衬、高温炉窑构件、碳化硅板、衬板、支撑件、匣钵、碳化硅坩埚等。   另一方面可用于有色金属冶炼工业的高温间接加热材料,如竖罐蒸馏炉、精馏炉塔盘、铝电解槽、铜熔化炉内衬、锌炉用弧型板、热电偶保护管等;用于制作耐磨、耐蚀、耐高温等碳化硅陶瓷材料;还可以制做火箭喷管、燃气轮机叶片等。此外,碳化硅也是高速公路、航空飞机跑道太阳能热水器等的理想材料之一。65碳化硅球,【碳化硅球供应】,碳化硅脱氧剂专卖,碳化硅在铸造上使用中,碳化硅球多少钱,效果是比较好的,特别是熔炼中,增加石墨核心,提高球铁的石墨球数,65碳化硅球,改善灰铁的石墨形态等等都非常有益。

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