安阳市晟东冶金材料有限公司

   碳化硅球近年来的发展趋势逐渐上升，在炼钢行业尤其发展迅猛，逐渐有替代碳化硅颗粒的趋势，成为钢厂中不可缺少的炉料剂

    这种钢厂的碳化硅球一般含量保持在70%-80%左右，颗粒度用的较多的为3-5mm、3-8mm。

      碳化硅球大小的选择与使用要求：对于国内大型的钢厂来说，钢包相对比较大多为：80吨、100吨、120吨等规格，熔炼时间长反应时间久。5-6公分的大碳化硅球自重及下料的过程当中有一定的优势，且在钢液当中反应与溶解效果好。而3-10mm的碳化硅小球，则多以适用于小型的中频炉，冲天炉等。溶解时间快，吸收率好，且不影响炼钢时间，顾也降低了生产成本。

      安阳市晟东冶金材料有限公司主要生产销售硅锰合金、硅铁合金、硅钙合金、稀土合金、金属硅粉、粒、碳化硅、碳化硅脱氧剂、硅铁粉等各类铁合金，并根据客户的不同需要研制开发了各种定型和不定型耐火材料等系列产品硅碳球，严格按照ISO9001国际质量认证标准生产，保证了公司产品质量。

      碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍;用以制成的耐火材料硅锰球，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好。低品级碳化硅(含硅约85%)是的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。

安阳市晟东冶金材料有限公司主要生产销售硅锰合金、硅铁合金、硅钙合金、稀土合金、金属硅粉、粒、碳化硅、碳化硅脱氧剂、硅铁粉等各类铁合金。

安阳市晟东冶金材料有限公司位于甲骨文故乡－－古都安阳，地处晋、冀、鲁、豫四省交界，京广铁路、京珠高速、107国道贯穿其间，西临太行山脉，有举世闻名的人工天河－－渠，这里地理位置优越，矿产资源丰富，自然条件十分便利。本厂技术力量雄厚，检测手段齐全，具有完善的科学管理及质量保证体系。

碳化硅球的特性和用途

（1）碳化硅球具耐磨、无污染、提高原料的稳定性，减少磨机内厚度和球的体积，使磨机有效容积增加15%-30%。

（2）用途：主要于电气炉和冲天炉，作为脱氧剂；

（3）用于铸造和炼钢工业（特钢、不锈钢、T制铁、G制铁、K制铁等工厂都可使用），提高炉内温度，缩短熔化时间，提高钢铁产量，起到增碳、脱氧、加硅、升温等作用.

（4）还可以作为硅铁的替代品使用。并且在投炉中不会产生粉尘污染，反应速度快、降低成本，是炼钢过程中的一种新方式。

（5）有用金属氧化物被还原为金属在钢中被吸收，减少钢水的损耗，提高产量。

（6）碳化硅元素氧化时产生的反应热能，可减少电的使用量，使操作时间缩短。

（7）在生产锰钢、铬钢的过程中，可减少锰、铬的损耗。

碳化硅球在炼钢中的优点

     炼钢使用碳化硅球可以使有用金属氧化物被还原为金属在钢中被吸收，减少钢水的损耗，提高产量。碳化硅元素氧化时产生的反应热能，可减少电的使用量，使操作时间缩短。所以碳化硅球在在炼钢脱氧剂方面运用可以节约成本，减少损耗。

     既然碳化硅球优点这么多采购量也比较大，那么对于各个钢厂而言一家稳定且品质好的碳化硅球厂家就显得尤为重要了，安阳市晟东冶金材料有限公司是一家建厂资历比较老的碳化硅球厂家，拥有成套的碳化硅球生产设备设施以及专业的研发人员和专业的客服人员欢迎大家咨询合作。

        黑碳化硅是以石英砂，石油焦和硅石为主要原料，通过电阻炉高温冶炼而成。绿色碳化硅在制造上所采用的原料如黑碳化硅生产大致相同，另加工业盐作为反应剂和促进剂在电阻炉内反应而成。就其色泽而言为绿色，故命名为绿碳化硅  。

         除了颜色的区别，一般来说，绿硅锐性好，黑硅韧性好。跟它们处所用地方不同。绿碳化硅比黑碳化硅的质地更纯，硬度比黑碳化硅还要高，其磨削用途与黑碳化硅相同之外，更适合用于材料的精磨如磨螺纹、磨量具等，在磨削材料上更广泛的用于硬质合金、金刚石制品的工件。为您提供（铁合金现货网）黑碳化硅是以石英砂，石油焦和硅石为主要原料，通过电阻炉高温冶炼而成。绿色碳化硅在制造上所采用的原料如黑碳化硅生产大致相同，另加工业盐作为反应剂和促进剂在电阻炉内反应而成。就其色泽而言为绿色，故命名为绿碳化硅。黑色和绿色的呢？除了颜色的区别，一般来说，黑硅韧性好。碳化硅为什么会有跟它们处所用地方不同。绿碳化硅比黑碳化硅的质地更纯，硬度比黑碳化硅还要高，其磨削用途与黑碳化硅相同之外，更适合用于材料的精磨 如磨螺纹、磨量具等，在磨削材料上更广泛的用于硬质合金、金刚石制品的工件。

        近日科技部高新司在组织召开“十二五”期间863计划重点支持的“第三代半导体器件制备及评价技术”项目验收会。通过项目的实施，我国在第三代半导体关键的碳化硅和氮化材料、功率器件、封装以及可见光通信等领域取得突破。

中国开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚，与国外相比水平较低，阻碍国内第三代半导体研究进展的重要因素是原始问题。随着国家对第三代半导体材料的重视，近年来，我国半导体材料市场发展迅速。其中以碳化硅与氮化为主的材料备受关注。我们认为，该项目取得的进展，显示出我国在半导体前沿材料的研究方面取得了突破进展，有助于支撑我国在节能减排、现代信息工程、现代建设上的重大需求。